根據資訊分析服務機構IHS(IHS-US)周三(26日)公布的《IHS iSuppli Market Brief》報告,預估今(2012)年出貨至全球的智慧型手機動態隨機存取記憶體(DRAM)平均數量將飆升近50%,主要係因這些先進手機的功能更加強大。 今年智慧型手機內的平均DRAM容量將擴充至666MB,高於去(2011)年的453MB和前(2010)年的202MB。 智慧型手機內的DRAM晶片平均密度目前亦正在攀升當中且正變為更加統一。在今年的智慧型手機DRAM市場裡,4Gb容量晶片市占率大約為37%,緊追在後的則為8Gb容量晶片,其市占率則是36%。 然而,明(2013)年8Gb容量晶片市占率則將達到46%,比下4Gb容量晶片的28%市占率。 16Gb容量晶片則預計會在未來數年內拿下最多市占率,顯示未來一段時間內的DRAM密度成長將持續不受干擾,但其今年市占率將僅為2%,明年會躍升至15%,明年和後(2014)年則會超過4Gb和8Gb,之後在2015年前會成為市場主流,市占率高達56%。 IHS記憶體需求預測分析師Clifford Leimbach表示:「由於智慧型手機變得更為精細,記憶體使用持續走升 - 不僅為了要滿足使用者期望與需要,也要適應更為強大的處理器與日漸精良的LCD螢幕所產生的需求。並且,當智慧型手機內記憶體已經增加時,產業亦自複雜具區別性的記憶體密度世界移往更為簡單的領域之內。」 一年前,智慧型手機內的NAND記憶體容量僅為1GB或是2GB,範圍極小,但根據IHS iSuppli拆解分析服務的觀察,今年則沒有任何手機採用低於16GB容量的NAND記憶體,產生了巨幅改變。 新聞來源: YAHOO新聞 | ||||||||||||||
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